Modules MOSFET canal N STMicroelectronics 33 A 1200 V Épuisement, 7 broches, H2PAK-7 SCT
- Code commande RS:
- 202-5482
- Référence fabricant:
- SCTH40N120G2V7AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 202-5482
- Référence fabricant:
- SCTH40N120G2V7AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | Modules MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 33A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Type de Boitier | H2PAK-7 | |
| Série | SCT | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.105Ω | |
| Mode de canal | Épuisement | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit Modules MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 33A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Type de Boitier H2PAK-7 | ||
Série SCT | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.105Ω | ||
Mode de canal Épuisement | ||
Le MOSFET de puissance en carbure de silicium de qualité automobile de STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie MOSFET SiC avancée et innovante de 2e génération de ST. Le dispositif est doté d'une résistance d'activation remarquablement faible par zone d'unité et de très bonnes performances de commutation.
Diode à corps intrinsèque très rapide et robuste
Faible capacitance
Nos clients ont également consulté
- Modules MOSFET canal Type N STMicroelectronics 33 A 1200 V Épuisement H2PAK-7 SCT
- MOSFET canal Type N STMicroelectronics 100 A 1200 V Épuisement H2PAK SCT Non
- MOSFET canal Type N STMicroelectronics 95 A 650 V Épuisement H2PAK SCT Non
- MOSFET canal Type N STMicroelectronics 30 A 1200 V Enrichissement H2PAK-7 SCT AEC-Q101
- MOSFET canal Type N STMicroelectronics 33 A 1200 V Épuisement Hip-247 SCT Non
- MOSFET N STMicroelectronics 30 A 1200 V Enrichissement H2PAK-7 SCT
- MOSFET STMicroelectronics 55 A 1200 V, H2PAK-7 SCT AEC-Q101
- MOSFET N STMicroelectronics 40 A 1200 V Enrichissement H2PAK-7 SCT AEC-Q101