MOSFET N STMicroelectronics 60 A 650 V Enrichissement, 7 broches, H2PAK-7 SCT AEC-Q101

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214-955
Référence fabricant:
SCT027H65G3AG
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

60A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

H2PAK-7

Série

SCT

Type de montage

Surface

Nombre de broches

7

Résistance Drain Source maximum Rds

29mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

2.9V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

300W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

48.6nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS, AEC-Q101

Hauteur

4.8mm

Longueur

15.25mm

Standard automobile

AEC-Q101

Le composant MOSFET de puissance en carbure de silicium de STMicroelectronics a été développé à partir de la technologie MOSFET SiC avancée et innovante de 3ème génération de ST. Le dispositif est doté d'un très faible RDS(on) sur toute la plage de température, combiné à de faibles capacités et à des opérations de commutation très élevées, ce qui améliore les performances d'application en termes de fréquence, d'efficacité énergétique, de taille du système et de réduction du poids.

Performances de commutation à grande vitesse

Diode à corps intrinsèque très rapide et robuste

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