MOSFET canal N STMicroelectronics 60 A 650 V Enrichissement, 7 broches, H2PAK-7 SCT AEC-Q101
- Code commande RS:
- 214-955
- Référence fabricant:
- SCT027H65G3AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
12,25 €
HT
14,70 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 1 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 14 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 12,25 € |
| 10 - 99 | 11,33 € |
| 100 - 999 | 11,20 € |
| 1000 + | 11,06 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 214-955
- Référence fabricant:
- SCT027H65G3AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 60A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | SCT | |
| Type de Boitier | H2PAK-7 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 29mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 2.9V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 48.6nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 300W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 15.25mm | |
| Hauteur | 4.8mm | |
| Normes/homologations | RoHS, AEC-Q101 | |
| Largeur | 10.4mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 60A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série SCT | ||
Type de Boitier H2PAK-7 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 29mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 2.9V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 48.6nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 300W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 15.25mm | ||
Hauteur 4.8mm | ||
Normes/homologations RoHS, AEC-Q101 | ||
Largeur 10.4mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le composant MOSFET de puissance en carbure de silicium de STMicroelectronics a été développé à partir de la technologie MOSFET SiC avancée et innovante de 3ème génération de ST. Le dispositif est doté d'un très faible RDS(on) sur toute la plage de température, combiné à de faibles capacités et à des opérations de commutation très élevées, ce qui améliore les performances d'application en termes de fréquence, d'efficacité énergétique, de taille du système et de réduction du poids.
Performances de commutation à grande vitesse
Diode à corps intrinsèque très rapide et robuste
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N STMicroelectronics 55 A 650 V Enrichissement H2PAK-7 SCT AEC-Q101
- MOSFET de puissance N STMicroelectronics 55 A 650 V Enrichissement H2PAK-7 Sct
- MOSFET N STMicroelectronics 110 A 900 V Enrichissement H2PAK-7 SCT AEC-Q101
- MOSFET N STMicroelectronics 40 A 1200 V Enrichissement H2PAK-7 SCT AEC-Q101
- MOSFET canal Type N STMicroelectronics 30 A 1200 V Enrichissement H2PAK-7 SCT AEC-Q101
- MOSFET STMicroelectronics 55 A 1200 V, H2PAK-7 SCT AEC-Q101
- MOSFET N STMicroelectronics 30 A 1200 V Enrichissement H2PAK-7 SCT
- MOSFET de puissance N STMicroelectronics 60 A 650 V Enrichissement HU3PAK Sct AEC-Q101