MOSFET de puissance canal N STMicroelectronics 55 A 650 V Enrichissement, 7 broches, H2PAK-7 Sct
- Code commande RS:
- 719-465
- Référence fabricant:
- SCT018H65G3-7
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
16,75 €
HT
20,10 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 261 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 16,75 € |
| 10 - 49 | 15,34 € |
| 50 - 99 | 14,32 € |
| 100 + | 13,32 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 719-465
- Référence fabricant:
- SCT018H65G3-7
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 55A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | Sct | |
| Type de Boitier | H2PAK-7 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 20mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 79.4nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 385W | |
| Tension directe Vf | 2.6V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 15.25mm | |
| Hauteur | 4.8mm | |
| Largeur | 10.4mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 55A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série Sct | ||
Type de Boitier H2PAK-7 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 20mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 79.4nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 385W | ||
Tension directe Vf 2.6V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 15.25mm | ||
Hauteur 4.8mm | ||
Largeur 10.4mm | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le dispositif MOSFET de puissance en carbure de silicium de STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie MOSFET SiC avancée et innovante de 3e génération de ST. Le dispositif est doté d'un très faible RDS(on) sur toute la plage de température, combiné à de faibles capacités et à des opérations de commutation très élevées, ce qui améliore les performances d'application en termes de fréquence, d'efficacité énergétique, de taille du système et de réduction du poids.
Diode à corps intrinsèque très rapide et robuste
RDS(on) très faible sur toute la plage de températures
Performances de commutation à haute vitesse
Broche de détection de la source pour une efficacité accrue
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N STMicroelectronics 55 A 650 V Enrichissement H2PAK-7 SCT AEC-Q101
- canal N STMicroelectronics 55 A 650 V Enrichissement H2PAK-7 STPOWER Gen3 SiC MOSFET Non
- MOSFET canal N STMicroelectronics 60 A 650 V Enrichissement H2PAK-7 SCT AEC-Q101
- MOSFET STMicroelectronics 55 A 1200 V, H2PAK-7 SCT AEC-Q101
- MOSFET canal N STMicroelectronics 30 A 1200 V Enrichissement H2PAK-7 SCT
- MOSFET canal N STMicroelectronics 95 A 650 V Épuisement H2PAK SCT Non
- MOSFET canal N STMicroelectronics 40 A 1200 V Enrichissement H2PAK-7 SCT AEC-Q101
- MOSFET canal N STMicroelectronics 30 A 1200 V Enrichissement H2PAK-7 SCT AEC-Q101