MOSFET canal N STMicroelectronics 55 A 1.2 kV Enrichissement, 7 broches, H2PAK-7 SCT025H120G3AG AEC-Q101
- Code commande RS:
- 214-952
- Référence fabricant:
- SCT025H120G3AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
16,54 €
HT
19,85 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 358 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 16,54 € |
| 10 - 99 | 16,28 € |
| 100 - 999 | 16,08 € |
| 1000 + | 15,89 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 214-952
- Référence fabricant:
- SCT025H120G3AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 55A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.2kV | |
| Type de Boitier | H2PAK-7 | |
| Série | SCT025H120G3AG | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 27mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 375W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 73nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 2.7V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 10.4mm | |
| Longueur | 15.25mm | |
| Normes/homologations | AEC-Q101, RoHS | |
| Hauteur | 4.8mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 55A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.2kV | ||
Type de Boitier H2PAK-7 | ||
Série SCT025H120G3AG | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 27mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 375W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 73nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 2.7V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 10.4mm | ||
Longueur 15.25mm | ||
Normes/homologations AEC-Q101, RoHS | ||
Hauteur 4.8mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N STMicroelectronics 55 A 1200 V Enrichissement H2PAK-7 SCT025H120G3AG AEC-Q101
- MOSFET STMicroelectronics 55 A 1200 V, H2PAK-7 SCT AEC-Q101
- MOSFET canal N STMicroelectronics 40 A 1200 V Enrichissement H2PAK-7 SCT AEC-Q101
- MOSFET canal N STMicroelectronics 30 A 1200 V Enrichissement H2PAK-7 SCT AEC-Q101
- Module d'alimentation en carbure de silicium canal N STMicroelectronics 55 A 1200 V Enrichissement H2PAK-7
- MOSFET canal N STMicroelectronics 55 A 650 V Enrichissement H2PAK-7 SCT AEC-Q101
- MOSFET canal N STMicroelectronics 60 A 1200 V Enrichissement H2PAK-7
- MOSFET canal N STMicroelectronics 30 A 1200 V Enrichissement H2PAK-7 SCT