Module d'alimentation en carbure de silicium canal N STMicroelectronics 55 A 1.2 kV Enrichissement, 7 broches, H2PAK-7
- Code commande RS:
- 204-3954
- Référence fabricant:
- SCTH50N120-7
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 204-3954
- Référence fabricant:
- SCTH50N120-7
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | Module d'alimentation en carbure de silicium | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum (Id) | 55 A | |
| Tension Drain Source maximum (Vds) | 1.2 kV | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Type de Boitier | H2PAK-7 | |
| Série | SCTH50N120-7 | |
| Résistance Drain Source maximum (Rds) | 0.065 Ω | |
| Type de montage | En surface | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit Module d'alimentation en carbure de silicium | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum (Id) 55 A | ||
Tension Drain Source maximum (Vds) 1.2 kV | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Nombre de broches 7 | ||
Type de Boitier H2PAK-7 | ||
Série SCTH50N120-7 | ||
Résistance Drain Source maximum (Rds) 0.065 Ω | ||
Type de montage En surface | ||
- Pays d'origine :
- CN
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties ofwide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.
Very tight variation of on-resistance vs.
temperature
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance
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