Module d'alimentation en carbure de silicium canal Type N STMicroelectronics 55 A 1200 V Enrichissement, 7 broches,
- Code commande RS:
- 204-3954
- Référence fabricant:
- SCTH50N120-7
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 204-3954
- Référence fabricant:
- SCTH50N120-7
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | Module d'alimentation en carbure de silicium | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 55A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Type de Boitier | H2PAK-7 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.065Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit Module d'alimentation en carbure de silicium | ||
Courant continu de Drain maximum Id 55A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Type de Boitier H2PAK-7 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.065Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance en carbure de silicium de STMicroelectronics est produit en exploitant les propriétés avancées et novatrices des matériaux à large écart de bande. Cela se traduit par une résistance d'activation inégalée par unité de surface et de très bonnes performances de commutation presque indépendantes de la température.
Variation très étroite de la résistance sous tension vs.
température
Diode à corps intrinsèque très rapide et robuste
Faible capacitance
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