MOSFET canal N STMicroelectronics 55 A 1.2 kV Enrichissement, 7 broches, H2PAK-7 SCT025H120G3AG AEC-Q101
- Code commande RS:
- 214-951
- Référence fabricant:
- SCT025H120G3AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 214-951
- Référence fabricant:
- SCT025H120G3AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum (Id) | 55 A | |
| Tension Drain Source maximum (Vds) | 1.2 kV | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Type de Boitier | H2PAK-7 | |
| Série | SCT025H120G3AG | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Tension directe (Vf) | 2.7 V | |
| Hauteur | 4.8 mm | |
| Longueur | 15.25 mm | |
| Résistance Drain Source maximum (Rds) | 27 mΩ | |
| Tension maximale de source de la grille (Vgs) | 22 V | |
| Température d'utilisation maximum | 175 °C | |
| Dissipation de puissance maximum (Pd) | 375 W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55 °C | |
| Type de montage | En surface | |
| Normes/homologations | AEC-Q101, RoHS | |
| Charge de porte typique (Qg) @ Vgs | 73 nC | |
| Largeur | 10.4 mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum (Id) 55 A | ||
Tension Drain Source maximum (Vds) 1.2 kV | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Nombre de broches 7 | ||
Type de Boitier H2PAK-7 | ||
Série SCT025H120G3AG | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Tension directe (Vf) 2.7 V | ||
Hauteur 4.8 mm | ||
Longueur 15.25 mm | ||
Résistance Drain Source maximum (Rds) 27 mΩ | ||
Tension maximale de source de la grille (Vgs) 22 V | ||
Température d'utilisation maximum 175 °C | ||
Dissipation de puissance maximum (Pd) 375 W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55 °C | ||
Type de montage En surface | ||
Normes/homologations AEC-Q101, RoHS | ||
Charge de porte typique (Qg) @ Vgs 73 nC | ||
Largeur 10.4 mm | ||
- Pays d'origine :
- CN
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
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