MOSFET Canal N canal N STMicroelectronics 51 A 650 V Enrichissement, 7 broches, H2PAK-7 STH65N AEC-Q101
- Code commande RS:
- 481-127
- Référence fabricant:
- STH65N050DM9-7AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
4 406,00 €
HT
5 287,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 4,406 € | 4 406,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 481-127
- Référence fabricant:
- STH65N050DM9-7AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 51A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | STH65N | |
| Type de Boitier | H2PAK-7 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Configuration du transistor | Canal N | |
| Longueur | 15.25mm | |
| Normes/homologations | AEC-Q101 | |
| Largeur | 24.3mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 51A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série STH65N | ||
Type de Boitier H2PAK-7 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Configuration du transistor Canal N | ||
Longueur 15.25mm | ||
Normes/homologations AEC-Q101 | ||
Largeur 24.3mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance à canal N de STMicroelectronics est basé sur la technologie MDmesh DM9 à super-jonction, conçue pour les applications à moyenne et haute tension. Elle se caractérise par un RDS(on) extrêmement faible par zone et une diode à récupération rapide, ce qui la rend idéale pour une commutation à haut rendement. La technologie du silicium DM9 utilise un processus de fabrication multi-drain qui améliore la structure et les performances du dispositif. Avec une charge de récupération très faible (Qrr), un temps de récupération rapide (trr) et un faible RDS(on), ce MOSFET est optimisé pour les topologies de pont exigeantes et les convertisseurs à déphasage ZVS.
Faible charge de grille et faible résistance
100 % testé contre les avalanches
Robustesse dv/dt extrêmement élevée
Excellente performance de commutation grâce à la broche de source de pilotage supplémentaire
Homologué AEC-Q101
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