IGBT AEC-Q101 STMicroelectronics, 108 A, 650 V, 7 broches, H2PAK-7 1 Surface
- Code commande RS:
- 330-362
- Référence fabricant:
- GH50H65DRB2-7AG
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,10 € |
| 10 - 99 | 1,93 € |
| 100 - 499 | 1,88 € |
| 500 - 999 | 1,84 € |
| 1000 + | 1,79 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 330-362
- Référence fabricant:
- GH50H65DRB2-7AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 108A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 385W | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Type de Boitier | H2PAK-7 | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 4.8mm | |
| Normes/homologations | AEC-Q101 | |
| Longueur | 15.25mm | |
| Largeur | 24.3 mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 108A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 385W | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Type de Boitier H2PAK-7 | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 4.8mm | ||
Normes/homologations AEC-Q101 | ||
Longueur 15.25mm | ||
Largeur 24.3 mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
La toute nouvelle série de IGBT 650 HB2 de STMicroelectronics représente une évolution de la structure propriétaire avancée trench gate field-stop. Les performances de la série HB2 sont optimisées en termes de conduction, grâce à un meilleur comportement du VCE(sat) à des valeurs de courant faibles, ainsi qu'en termes de réduction de l'énergie de commutation.
Qualifié AEC-Q101
Température de jonction maximale TJ égale à 175 °C
Série de commutation à grande vitesse
Courant de queue minimisé
Distribution serrée des paramètres
Faible résistance thermique
Coefficient de température VCE(sat) positif
Co-packed with high ruggedness rectifier diode (diode de redressement à haute robustesse)
Excellentes performances de commutation grâce à la broche kelvin de pilotage supplémentaire
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