IGBT, GH50H65DRB2-7AG, , 108 A, 650 V, H2PAK-7, 7 broches

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Code commande RS:
330-362
Référence fabricant:
GH50H65DRB2-7AG
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Courant continu de Collecteur maximum

108 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

650 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Dissipation de puissance maximum

385 W

Nombre de transistors

1

Type de boîtier

H2PAK-7

Type de montage

CMS

Nombre de broches

7

Pays d'origine :
CN
La toute nouvelle série de IGBT 650 HB2 de STMicroelectronics représente une évolution de la structure propriétaire avancée trench gate field-stop. Les performances de la série HB2 sont optimisées en termes de conduction, grâce à un meilleur comportement du VCE(sat) à des valeurs de courant faibles, ainsi qu'en termes de réduction de l'énergie de commutation.

Qualifié AEC-Q101
Température de jonction maximale TJ égale à 175 °C
Série de commutation à grande vitesse
Courant de queue minimisé
Distribution serrée des paramètres
Faible résistance thermique
Coefficient de température VCE(sat) positif
Co-packed with high ruggedness rectifier diode (diode de redressement à haute robustesse)
Excellentes performances de commutation grâce à la broche kelvin de pilotage supplémentaire

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