MOSFET canal N IXYS 50 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 HiperFET, Polar

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193-420
Référence fabricant:
IXTP50N20P
Marque:
IXYS
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Marque

IXYS

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

50A

Tension Drain Source maximum Vds

200V

Type de Boitier

TO-220

Série

HiperFET, Polar

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

60mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.5V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

70nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Dissipation de puissance maximum Pd

360W

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

9.15mm

Largeur

4.83mm

Normes/homologations

No

Longueur

10.66mm

Standard automobile

Non

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