Références fabricant

MOSFET canal N IXYS 24 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 HiperFET, Polar

Code commande RS:: 194-079
Numéro d'article Distrelec:: 302-53-314
Référence fabricant:: IXFH24N80P
Marque:: IXYS

MOSFET canal N IXYS 24 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 HiperFET, Polar

Prix dégressifs sur quantité

Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 unité)*

8,72 €

10,46 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

Temporairement en rupture de stock

3 unité(s) expédiée(s) à partir du 24 septembre 2026
Plus 60 unité(s) expédiée(s) à partir du 30 décembre 2026

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité
1 - 5	8,72 €
6 - 14	7,54 €
15 +	7,18 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 194-079
Numéro d'article Distrelec:: 302-53-314
Référence fabricant:: IXFH24N80P
Marque:: IXYS

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	IXYS
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	24A
	Tension Drain Source maximum Vds	800V
	Type de Boitier	TO-247
	Série	HiperFET, Polar
	Type de montage	Traversant
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	400mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	105nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs	30V
	Dissipation de puissance maximum Pd	650W
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension directe Vf	1.5V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Normes/homologations	No
	Largeur	5.3mm
	Longueur	16.26mm
	Hauteur	21.46mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque IXYS
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 24A
	Tension Drain Source maximum Vds 800V
	Type de Boitier TO-247
	Série HiperFET, Polar
	Type de montage Traversant
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 400mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 105nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs 30V
	Dissipation de puissance maximum Pd 650W
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension directe Vf 1.5V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Normes/homologations No
	Largeur 5.3mm
	Longueur 16.26mm
	Hauteur 21.46mm
	Standard automobile Non

Datasheet

Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™

Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS

Transistors MOSFET, IXYS

Une large gamme de dispositifs de puissance discrets avancés MOSFET d'IXYS

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.