MOSFET canal N STMicroelectronics 40 A 1.2 kV Enrichissement, 4 broches, Hip-247-4 SCT AEC-Q101
- Code commande RS:
- 214-957
- Référence fabricant:
- SCT040W120G3-4
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 214-957
- Référence fabricant:
- SCT040W120G3-4
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 40A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.2kV | |
| Type de Boitier | Hip-247-4 | |
| Série | SCT | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 40mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 312W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -10V, 22V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.2kV | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 56nC | |
| Température d'utilisation maximum | 200°C | |
| Normes/homologations | RoHS, ECOPACK2 | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 40A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.2kV | ||
Type de Boitier Hip-247-4 | ||
Série SCT | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 40mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 312W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -10V, 22V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.2kV | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 56nC | ||
Température d'utilisation maximum 200°C | ||
Normes/homologations RoHS, ECOPACK2 | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le dispositif MOSFET de puissance en carbure de silicium de STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie MOSFET SiC avancée et innovante de 3e génération de ST. Le dispositif est doté d'un très faible RDS(on) sur toute la plage de température, combiné à de faibles capacités et à des opérations de commutation très élevées, ce qui améliore les performances d'application en termes de fréquence, d'efficacité énergétique, de taille du système et de réduction du poids.
Performances de commutation à haute vitesse
Diode à corps intrinsèque très rapide et robuste
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