MOSFET 1 canal N STMicroelectronics Enrichissement, 4 broches, Hip-247-4 SCT
- Code commande RS:
- 214-964
- Référence fabricant:
- SCT070W120G3-4
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 214-964
- Référence fabricant:
- SCT070W120G3-4
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Série | SCT | |
| Type de Boitier | Hip-247-4 | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Série SCT | ||
Type de Boitier Hip-247-4 | ||
Nombre de broches 4 | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le dispositif MOSFET de puissance en carbure de silicium de STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie MOSFET SiC avancée et innovante de 3e génération de ST. Le dispositif est doté d'un très faible RDS(on) sur toute la plage de température, combiné à de faibles capacités et à des opérations de commutation très élevées, ce qui améliore les performances d'application en termes de fréquence, d'efficacité énergétique, de taille du système et de réduction du poids.
Performances de commutation à haute vitesse
Diode à corps intrinsèque très rapide et robuste
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