MOSFET canal N STMicroelectronics 30 A 1.2 kV Enrichissement, 4 broches SCT AEC-Q101
- Code commande RS:
- 215-245
- Référence fabricant:
- SCT070W120G3-4AG
- Marque:
- STMicroelectronics
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- Code commande RS:
- 215-245
- Référence fabricant:
- SCT070W120G3-4AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 30A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.2kV | |
| Série | SCT | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 63mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 41nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 236W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -10V, 22V | |
| Température d'utilisation maximum | 200°C | |
| Normes/homologations | AEC-Q101 | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 30A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.2kV | ||
Série SCT | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 63mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 41nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 236W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -10V, 22V | ||
Température d'utilisation maximum 200°C | ||
Normes/homologations AEC-Q101 | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le composant MOSFET de puissance en carbure de silicium de STMicroelectronics a été développé à partir de la technologie MOSFET SiC avancée et innovante de 3ème génération de ST. Le dispositif est doté d'un très faible RDS(on) sur toute la plage de température, combiné à de faibles capacités et à des opérations de commutation très élevées, ce qui améliore les performances d'application en termes de fréquence, d'efficacité énergétique, de taille du système et de réduction du poids.
Charge de grille et capacité d'entrée extrêmement faibles
Diode à corps intrinsèque très rapide et robuste
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