MOSFET canal N STMicroelectronics 100 A 1200 V Enrichissement, 4 broches SCT AEC-Q101
- Code commande RS:
- 215-068
- Référence fabricant:
- SCT020W120G3-4AG
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 + | 31,549 € | 946,47 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 215-068
- Référence fabricant:
- SCT020W120G3-4AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Série | SCT | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 18.5mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 3V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 541W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 121nC | |
| Température d'utilisation maximum | 200°C | |
| Normes/homologations | AEC-Q101 | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Série SCT | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 18.5mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 3V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 541W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 121nC | ||
Température d'utilisation maximum 200°C | ||
Normes/homologations AEC-Q101 | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le composant MOSFET de puissance en carbure de silicium de STMicroelectronics a été développé à partir de la technologie MOSFET SiC avancée et innovante de 3ème génération de ST. Le dispositif est doté d'un très faible RDS(on) sur toute la plage de température, combiné à de faibles capacités et à des opérations de commutation très élevées, ce qui améliore les performances d'application en termes de fréquence, d'efficacité énergétique, de taille du système et de réduction du poids.
Charge de grille et capacité d'entrée extrêmement faibles
Diode à corps intrinsèque très rapide et robuste
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