MOSFET canal N STMicroelectronics 60 A 650 V Enrichissement, 4 broches SCT AEC-Q101
- Code commande RS:
- 215-228
- Référence fabricant:
- SCT027W65G3-4AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Sous-total (1 tube de 30 unités)*
404,58 €
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 + | 13,486 € | 404,58 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 215-228
- Référence fabricant:
- SCT027W65G3-4AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 60A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | SCT | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 29mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 313W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 51nC | |
| Tension directe Vf | 3V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -10, 22V | |
| Température d'utilisation maximum | 200°C | |
| Normes/homologations | AEC-Q101 | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 60A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série SCT | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 29mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 313W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 51nC | ||
Tension directe Vf 3V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -10, 22V | ||
Température d'utilisation maximum 200°C | ||
Normes/homologations AEC-Q101 | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le composant MOSFET de puissance en carbure de silicium de STMicroelectronics a été développé à partir de la technologie MOSFET SiC avancée et innovante de 3ème génération de ST. Le dispositif est doté d'un très faible RDS(on) sur toute la plage de température, combiné à de faibles capacités et à des opérations de commutation très élevées, ce qui améliore les performances d'application en termes de fréquence, d'efficacité énergétique, de taille du système et de réduction du poids.
Performances de commutation à grande vitesse
Diode à corps intrinsèque très rapide et robuste
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