MOSFET canal N Nexperia 150 A 30 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK PSM

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Code commande RS:
219-266
Référence fabricant:
PSMN1R8-30MLHX
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

150A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

LFPAK

Série

PSM

Type de montage

En surface

Nombre de broches

5

Résistance Drain Source maximum Rds

2.1mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

28nC

Dissipation de puissance maximum Pd

106W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
PH
Le transistor MOSFET canal N de Nexperia doté de la technologie NextPowerS3 offre un faible RDS, une faible fuite IDSS et un haut rendement, avec un courant nominal de 150 A. Sa faible résistance de grille optimisée prend en charge les applications à commutation rapide. Les applications clés incluent les régulateurs abaisseurs synchrones, les redresseurs synchrones dans les conversions c.a./c.c. et c.c./c.c., la commande de moteur BLDC, le fusible eFuse et la protection de la batterie, ainsi que les fonctionnalités d'échange à chaud et d'échange à chaud.

Commutation rapide

Faible picotement et bourdonnement pour les conceptions à faible EMI

Clip en cuivre collé à haute fiabilité

Qualifié jusqu'à 175 °C

Câbles exposés pour une inspection visuelle optimale de la soudure

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