MOSFET canal N Nexperia 42 A 40 V Enrichissement, 8 broches, LFPAK NextPowerS3

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219-284
Référence fabricant:
PSMN014-40HLDX
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

42A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Série

NextPowerS3

Type de Boitier

LFPAK

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

13.6mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

46W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

19.4nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
PH
Le transistor MOSFET canal N de Nexperia dans un boîtier LFPAK56D utilise la technologie NextPowerS3, offrant des performances et un rendement élevés. Il est idéal pour les applications telles que la commande de moteur c.c. brushless, les convertisseurs c.c.-c.c., la rectification synchrone hautes performances et les alimentations de serveur.

MOSFET double

Indice de protection contre les avalanches répétitives

Clip en cuivre et matrice à souder

Qualifié jusqu'à 175 °C

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