MOSFET canal N Nexperia 300 A 25 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK PSM

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219-299
Référence fabricant:
PSMNR60-25YLHX
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

300A

Tension Drain Source maximum Vds

25V

Type de Boitier

LFPAK

Série

PSM

Type de montage

En surface

Nombre de broches

5

Résistance Drain Source maximum Rds

0.7mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

4.5V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

268W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

43nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
PH
Le transistor MOSFET à canal N de Nexperia est optimisé pour un faible RDSon, une faible fuite IDSS même à des températures élevées, un haut rendement et une manipulation de courant élevé. Il est idéal pour les commutateurs de charge c.c. et les applications d'échange à chaud. Les applications clés incluent l'échange à chaud, le fusible électronique, l'alimentation OR-ing, la commutation c.c./charge, la protection de la batterie et la commande de moteur brossé/BLDC.

Clip en cuivre pour faible inductance parasite et faible résistance

Boîtier LFPAK haute fiabilité

Qualifié jusqu'à 175 °C

Capable de souder à la vague

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