MOSFET canal N Nexperia 70 A 30 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK PSM
- Code commande RS:
- 219-322
- Référence fabricant:
- PSMN2R4-30MLDX
- Marque:
- Nexperia
Sous-total (1500 unités, sur une bobine de 1500)*
874,50 €
HT
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1500 + | 0,583 € | 874,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 219-322
- Référence fabricant:
- PSMN2R4-30MLDX
- Marque:
- Nexperia
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 70A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | LFPAK | |
| Série | PSM | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2.4mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 91W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 16nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 70A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier LFPAK | ||
Série PSM | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 5 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2.4mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 91W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 16nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET à canal N de Nexperia est doté d'un portefeuille NextPowerS3 utilisant la technologie SchottkyPlus unique de NXP pour fournir un haut rendement, des performances de pointe faibles généralement associées aux transistor MOSFET avec une diode de Schottky ou de type Schottky intégrée, mais sans courant de fuite élevé problématique. Le NextPowerS3 est particulièrement adapté aux applications à haut rendement à des fréquences de commutation élevées.
Faible inductance parasite et faible résistance
Boîtier Power SO8 avec clip collé et matrice à souder haute fiabilité
Qualifié jusqu'à 175 °C
Commutation ultra-rapide avec récupération souple
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