MOSFET N Nexperia 320 A 40 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK PSM

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Code commande RS:
219-300
Référence fabricant:
PSMNR90-40YSNX
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

320A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

LFPAK

Série

PSM

Type de montage

Surface

Nombre de broches

5

Résistance Drain Source maximum Rds

0.97mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

268W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

42nC

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

L'ASFET canal N de Nexperia est optimisé pour les applications de système de batterie, offrant un faible RDS(on) et une forte capacité SOA pour minimiser les pertes de conduction I2R. Il offre un haut rendement, une réduction de la génération de chaleur et une gestion supérieure du courant d'appel pendant les conditions transitoires et de défaillance. Les applications clés incluent les systèmes de gestion de batterie, l'eFuse, la commutation de charge, la commande de moteur BLDC, les alimentations hautes performances et la rectification synchrone.

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