MOSFET canal N Nexperia 380 A 30 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK PSM

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Code commande RS:
219-329
Référence fabricant:
PSMNR58-30YLHX
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

380A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

LFPAK

Série

PSM

Type de montage

En surface

Nombre de broches

5

Résistance Drain Source maximum Rds

0.67mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

10V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

55nC

Dissipation de puissance maximum Pd

333W

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
PH
Le transistor MOSFET à canal N de Nexperia est optimisé pour un faible RDSon, une faible fuite IDSS même à des températures élevées, un haut rendement et une manipulation de courant élevé. Il est idéal pour les commutateurs de charge c.c. et les applications d'échange à chaud. Les applications clés incluent l'échange à chaud, le fusible électronique, l'alimentation OR-ing, la commutation c.c./charge, la protection de la batterie et la commande de moteur brossé/BLDC.

Clip en cuivre pour faible inductance parasite et faible résistance

Boîtier LFPAK haute fiabilité

Qualifié jusqu'à 175 °C

Capable de souder à la vague

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