MOSFET canal N Nexperia 380 A 30 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK PSM
- Code commande RS:
- 219-329
- Référence fabricant:
- PSMNR58-30YLHX
- Marque:
- Nexperia
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 ruban de 1 unité)*
3,50 €
HT
4,20 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 1 500 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Ruban(s) | le ruban |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,50 € |
| 10 - 99 | 3,16 € |
| 100 - 499 | 2,90 € |
| 500 - 999 | 2,70 € |
| 1000 + | 2,41 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 219-329
- Référence fabricant:
- PSMNR58-30YLHX
- Marque:
- Nexperia
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 380A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | LFPAK | |
| Série | PSM | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.67mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 10V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 55nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 333W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 380A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier LFPAK | ||
Série PSM | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 5 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.67mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 10V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 55nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 333W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- PH
Le transistor MOSFET à canal N de Nexperia est optimisé pour un faible RDSon, une faible fuite IDSS même à des températures élevées, un haut rendement et une manipulation de courant élevé. Il est idéal pour les commutateurs de charge c.c. et les applications d'échange à chaud. Les applications clés incluent l'échange à chaud, le fusible électronique, l'alimentation OR-ing, la commutation c.c./charge, la protection de la batterie et la commande de moteur brossé/BLDC.
Clip en cuivre pour faible inductance parasite et faible résistance
Boîtier LFPAK haute fiabilité
Qualifié jusqu'à 175 °C
Capable de souder à la vague
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N Nexperia 380 A 30 V Enrichissement LFPAK PSM
- MOSFET N Nexperia 380 A 25 V Enrichissement LFPAK PSM
- MOSFET N Nexperia 300 A 30 V Enrichissement LFPAK PSM
- MOSFET N Nexperia 275 A 30 V Enrichissement LFPAK PSM
- MOSFET N Nexperia 330 A 30 V Enrichissement LFPAK PSM
- MOSFET N Nexperia 150 A 30 V Enrichissement LFPAK PSM
- MOSFET N Nexperia 100 A 30 V Enrichissement LFPAK PSM
- MOSFET N Nexperia 365 A 30 V Enrichissement LFPAK PSM