MOSFET canal N Nexperia 120 A 100 V Enrichissement, 4 broches, LFPAK PSM

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Code commande RS:
219-347
Référence fabricant:
PSMN3R7-100BSEJ
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

120A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

LFPAK

Série

PSM

Type de montage

En surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

3.95mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

25°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

176nC

Dissipation de puissance maximum Pd

405W

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
PH
Le transistor MOSFET canal N de Nexperia est doté d'un RDS(on) très faible et d'une zone de fonctionnement sûre améliorée. Il est optimisé pour les contrôleurs à échange chaud, capable de résister à des courants d'appel élevés et de minimiser les pertes I2R pour un meilleur rendement. Les applications incluent l'échange à chaud, la commutation de charge, le démarrage progressif et le fusible électronique.

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