MOSFET canal N Nexperia 160 A 40 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK PSM
- Code commande RS:
- 219-393
- Référence fabricant:
- PSMN2R5-40YLBX
- Marque:
- Nexperia
Sous-total (1 bobine de 1500 unités)*
1 260,00 €
HT
1 515,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1500 + | 0,84 € | 1 260,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 219-393
- Référence fabricant:
- PSMN2R5-40YLBX
- Marque:
- Nexperia
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 160A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | LFPAK | |
| Série | PSM | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2.6mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 25nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 147W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 10V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 160A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier LFPAK | ||
Série PSM | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 5 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2.6mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 25nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 147W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 10V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- PH
Le transistor MOSFET à canal N de Nexperia utilise la technologie de jonction avancée TrenchMOS Super. Le boîtier est qualifié pour 175 °C. Il est conçu pour les applications de commutation d'alimentation haute performance. Les applications clés incluent l'automatisation, la robotique, les convertisseurs c.c.-c.c., la commande de moteur c.c. brushless, la commutation de charge industrielle, l'eFuse et la gestion d'induction.
Faible inductance parasite et faible résistance
Boîtier Power SO8 avec clip collé et matrice à souder haute fiabilité
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