MOSFET canal N Nexperia 160 A 30 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK PSM

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Code commande RS:
219-388
Référence fabricant:
PSMN2R1-30YLEX
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

160A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Série

PSM

Type de Boitier

LFPAK

Type de montage

En surface

Nombre de broches

5

Résistance Drain Source maximum Rds

2.17mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

124W

Tension maximale de source de la grille Vgs

10V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

17nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
PH
L'ASFET à canal N de Nexperia dans un boîtier LFPAK56 est optimisé pour un faible RDSon et une zone de fonctionnement sûre robuste, ce qui le rend idéal pour les applications à échange à chaud, à poussée et en mode linéaire. Les applications clés incluent l'échange à chaud dans les systèmes 12-20 V, le fusible électronique, le commutateur c.c., le commutateur de charge et la protection de la batterie.

Clip en cuivre pour faible inductance parasite et faible résistance

Boîtier LFPAK haute fiabilité

Qualifié jusqu'à 175 °C

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