MOSFET canal N Nexperia 100 A 30 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK PSM

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
219-317
Référence fabricant:
PSMN2R0-30YLE,115
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

100A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Série

PSM

Type de Boitier

LFPAK

Type de montage

En surface

Nombre de broches

5

Résistance Drain Source maximum Rds

2mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

10V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

87nC

Dissipation de puissance maximum Pd

238W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
PH
Le transistor MOSFET à canal N de Nexperia est logé dans un boîtier LFPAK et est certifié à 175 °C. Il est conçu pour une large gamme d'applications industrielles, de communications et domestiques. Les principales utilisations incluent le fusible électronique, l'échange à chaud, le commutateur de charge et le démarrage progressif.

Zone de sécurité à polarisation directe améliorée pour un fonctionnement en mode linéaire supérieur

Très faible Rdson pour de faibles pertes de conduction

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