Références fabricant

MOSFET canal N Nexperia 100 A 30 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK PSM

Code commande RS:: 219-316
Référence fabricant:: PSMN2R0-30YLE,115
Marque:: Nexperia

MOSFET canal N Nexperia 100 A 30 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK PSM

Sous-total (1 bobine de 1500 unités)*

1 234,50 €

1 482,00 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

Temporairement en rupture de stock

Expédition à partir du 28 décembre 2026

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	la bobine*
1500 +	0,823 €	1 234,50 €

*Prix donné à titre indicatif

Proposition de remplacement

Ce produit n'est pas disponible actuellement. Voici notre produit de remplacement:

MOSFET canal N Vishay 437 A 30 V, 4 broches, PowerPAK (8x8L) N-Channel 30 V AEC-Q101

Code commande RS: 225-9944

l'unité (en bobine de 3000)

2 064,00 €

2 476,80 €

TTC

Code commande RS:: 219-316
Référence fabricant:: PSMN2R0-30YLE,115
Marque:: Nexperia

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Nexperia
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	100A
	Tension Drain Source maximum Vds	30V
	Type de Boitier	LFPAK
	Série	PSM
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	5
	Résistance Drain Source maximum Rds	2mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	238W
	Tension maximale de source de la grille Vgs	10V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	87nC
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Normes/homologations	RoHS
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Nexperia
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 100A
	Tension Drain Source maximum Vds 30V
	Type de Boitier LFPAK
	Série PSM
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 5
	Résistance Drain Source maximum Rds 2mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 238W
	Tension maximale de source de la grille Vgs 10V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 87nC
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Normes/homologations RoHS
	Standard automobile Non

Datasheet - PSMN2R0-30YLE,115

Pays d'origine :: PH

Le transistor MOSFET à canal N de Nexperia est logé dans un boîtier LFPAK et est certifié à 175 °C. Il est conçu pour une large gamme d'applications industrielles, de communications et domestiques. Les principales utilisations incluent le fusible électronique, l'échange à chaud, le commutateur de charge et le démarrage progressif.

Zone de sécurité à polarisation directe améliorée pour un fonctionnement en mode linéaire supérieur

Très faible Rdson pour de faibles pertes de conduction

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.