MOSFET canal N Nexperia 267 A 100 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK PSM

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219-461
Référence fabricant:
PSMN2R0-100SSFJ
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

267A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

PSM

Type de Boitier

LFPAK

Type de montage

En surface

Nombre de broches

5

Résistance Drain Source maximum Rds

2.07mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

10V

Dissipation de puissance maximum Pd

341W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

161nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Hauteur

1.6mm

Largeur

8mm

Longueur

8mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
MY
Le MOSFET Nexperia à canal N est qualifié pour un fonctionnement jusqu'à 175°C et est idéal pour les applications industrielles et grand public. Les principales applications comprennent le redressement synchrone dans les convertisseurs CA-CD et CC-CD, la commutation du côté primaire, la commande de moteurs BLDC, les circuits en pont complet et en demi-pont, et la protection des batteries.

Fort indice d'énergie en avalanche

Testé à 100 % et homologué pour les avalanches

Sans halogène et conforme à la directive RoHS

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