MOSFET canal N Nexperia 200 A 100 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK PSM

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Code commande RS:
219-459
Référence fabricant:
PSMN2R6-100SSFJ
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

200A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

LFPAK

Série

PSM

Type de montage

En surface

Nombre de broches

5

Résistance Drain Source maximum Rds

2.6mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

63nC

Dissipation de puissance maximum Pd

341W

Tension maximale de source de la grille Vgs

10V

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

8mm

Largeur

8mm

Normes/homologations

RoHS

Hauteur

1.6mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
MY
Le MOSFET Nexperia à canal N est qualifié pour un fonctionnement jusqu'à 175°C et est idéal pour les applications industrielles et grand public. Les principales applications comprennent le redressement synchrone dans les convertisseurs CA-CD et CC-CD, la commutation du côté primaire, la commande de moteurs BLDC, les circuits en pont complet et en demi-pont, et la protection des batteries.

Fort indice d'énergie en avalanche

Testé à 100 % et homologué pour les avalanches

Sans halogène et conforme à la directive RoHS

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