MOSFET canal N Nexperia 200 A 25 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK PSM
- Code commande RS:
- 219-280
- Référence fabricant:
- PSMN1R7-25YLDX
- Marque:
- Nexperia
Sous-total (1 bobine de 1500 unités)*
1 476,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1500 + | 0,984 € | 1 476,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 219-280
- Référence fabricant:
- PSMN1R7-25YLDX
- Marque:
- Nexperia
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 200A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 25V | |
| Type de Boitier | LFPAK | |
| Série | PSM | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.75mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 10V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 135W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 46.7nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 200A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 25V | ||
Type de Boitier LFPAK | ||
Série PSM | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 5 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.75mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 10V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 135W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 46.7nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- PH
Le transistor MOSFET à canal N de Nexperia est doté d'un portefeuille NextPowerS3 utilisant la technologie SchottkyPlus unique de NXP pour fournir un haut rendement, des performances de pointe faibles généralement associées aux transistor MOSFET avec une diode de Schottky ou de type Schottky intégrée, mais sans courant de fuite élevé problématique. Le NextPowerS3 est particulièrement adapté aux applications à haut rendement à des fréquences de commutation élevées.
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