MOSFET canal N Nexperia 100 A 80 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK PSM

Sous-total (1 bobine de 1500 unités)*

3 024,00 €

HT

3 628,50 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • 1 500 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
1500 +2,016 €3 024,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
219-271
Référence fabricant:
PSMN4R5-80YSFX
Marque:
Nexperia
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Nexperia

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

100A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Série

PSM

Type de Boitier

LFPAK

Type de montage

En surface

Nombre de broches

5

Résistance Drain Source maximum Rds

4.5mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

90nC

Dissipation de puissance maximum Pd

238W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
PH
Le transistor MOSFET à canal N de Nexperia est qualifié pour 175 °C. Il est idéal pour les applications industrielles et grand public. Il est adapté pour la rectification synchrone dans les convertisseurs c.a.-c.c. et c.c.-c.c., la commutation latérale primaire dans les systèmes c.c.-c.c. 48 V, la commande de moteur BLDC, les adaptateurs USB-PD et mobiles à charge rapide, ainsi que les topologies de rappel et de résonance.

Puissante valeur nominale d'énergie d'avalanche

Homologué Avalanche et testé à 100 %

Sans Ha et conforme à la directive RoHS

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.