MOSFET canal N Nexperia 160 A 80 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK PSM
- Code commande RS:
- 219-378
- Référence fabricant:
- PSMN3R3-80YSFX
- Marque:
- Nexperia
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 ruban de 1 unité)*
1,67 €
HT
2,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 1 500 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Ruban(s) | le ruban |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,67 € |
| 10 - 99 | 1,51 € |
| 100 - 499 | 1,38 € |
| 500 - 999 | 1,28 € |
| 1000 + | 1,15 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 219-378
- Référence fabricant:
- PSMN3R3-80YSFX
- Marque:
- Nexperia
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 160A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Type de Boitier | LFPAK | |
| Série | PSM | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3.1mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 10V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 70nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 254W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 160A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Type de Boitier LFPAK | ||
Série PSM | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 5 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3.1mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 10V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 70nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 254W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- PH
Le transistor MOSFET à canal N de Nexperia est qualifié pour 175 °C. Il est idéal pour les applications industrielles et grand public. Il est adapté pour la rectification synchrone dans les convertisseurs c.a.-c.c. et c.c.-c.c., la commutation latérale primaire dans les systèmes c.c.-c.c. 48 V, la commande de moteur BLDC, les adaptateurs USB-PD et mobiles à charge rapide, ainsi que les topologies de rappel et de résonance.
Puissante valeur nominale d'énergie d'avalanche
Homologué Avalanche et testé à 100 %
Sans Ha et conforme à la directive RoHS
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N Nexperia 160 A 80 V Enrichissement LFPAK PSM
- MOSFET N Nexperia 100 A 80 V Enrichissement LFPAK PSM
- MOSFET N Nexperia 231 A 80 V Enrichissement LFPAK PSM
- MOSFET N Nexperia 180 A 100 V Enrichissement LFPAK PSM
- MOSFET N Nexperia 160 A 40 V Enrichissement LFPAK PSM
- MOSFET N Nexperia 160 A 30 V Enrichissement LFPAK PSM
- MOSFET N Nexperia 170 A 80 V Enrichissement LFPAK PSM
- MOSFET N Nexperia 270 A 80 V Enrichissement LFPAK PSM