MOSFET canal N Nexperia 170 A 80 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK PSM
- Code commande RS:
- 219-335
- Référence fabricant:
- PSMN4R2-80YSEX
- Marque:
- Nexperia
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 ruban de 1 unité)*
3,30 €
HT
3,96 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 19 mars 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Ruban(s) | le ruban |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,30 € |
| 10 - 99 | 2,96 € |
| 100 - 499 | 2,75 € |
| 500 - 999 | 2,54 € |
| 1000 + | 2,28 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 219-335
- Référence fabricant:
- PSMN4R2-80YSEX
- Marque:
- Nexperia
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 170A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Type de Boitier | LFPAK | |
| Série | PSM | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4.2mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 10V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 294W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 110nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 170A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Type de Boitier LFPAK | ||
Série PSM | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 5 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4.2mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 10V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 294W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 110nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- PH
Le transistor MOSFET canal N de Nexperia est doté d'un RDS(on) très faible et d'une performance de zone de fonctionnement sûre améliorée dans un boîtier LFPAK88 à clip en cuivre à haute fiabilité. Il est optimisé pour les contrôleurs à échange chaud, capable de résister à des courants d'appel élevés et de minimiser les pertes I2R pour un meilleur rendement. Les applications incluent l'échange à chaud, la commutation de charge, le démarrage progressif et le fusible électronique.
SOA pour un fonctionnement en mode linéaire supérieur
Boîtier LLFPAK88 pour les applications qui exigent les plus hautes performances
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N Nexperia 170 A 80 V Enrichissement LFPAK PSM
- MOSFET N Nexperia 100 A 80 V Enrichissement LFPAK PSM
- MOSFET N Nexperia 160 A 80 V Enrichissement LFPAK PSM
- MOSFET N Nexperia 231 A 80 V Enrichissement LFPAK PSM
- MOSFET N Nexperia 270 A 80 V Enrichissement LFPAK PSM
- MOSFET N Nexperia 80 A 100 V Enrichissement LFPAK PSM
- MOSFET N Nexperia 240 A 80 V Enrichissement LFPAK PSM
- MOSFET N Nexperia 225 A 80 V Enrichissement LFPAK PSM
