MOSFET canal N Nexperia 170 A 80 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK PSM
- Code commande RS:
- 219-335
- Référence fabricant:
- PSMN4R2-80YSEX
- Marque:
- Nexperia
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- Code commande RS:
- 219-335
- Référence fabricant:
- PSMN4R2-80YSEX
- Marque:
- Nexperia
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 170A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Type de Boitier | LFPAK | |
| Série | PSM | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4.2mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 110nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 294W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 10V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 170A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Type de Boitier LFPAK | ||
Série PSM | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 5 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4.2mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 110nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 294W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 10V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- PH
Le transistor MOSFET canal N de Nexperia est doté d'un RDS(on) très faible et d'une performance de zone de fonctionnement sûre améliorée dans un boîtier LFPAK88 à clip en cuivre à haute fiabilité. Il est optimisé pour les contrôleurs à échange chaud, capable de résister à des courants d'appel élevés et de minimiser les pertes I2R pour un meilleur rendement. Les applications incluent l'échange à chaud, la commutation de charge, le démarrage progressif et le fusible électronique.
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