MOSFET canal N Nexperia 240 A 80 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK PSM

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Code commande RS:
219-458
Référence fabricant:
PSMN2R3-80SSFJ
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

240A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Type de Boitier

LFPAK

Série

PSM

Type de montage

En surface

Nombre de broches

5

Résistance Drain Source maximum Rds

2.3mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

61nC

Dissipation de puissance maximum Pd

341W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS, Ha-free

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
MY
Le MOSFET Nexperia à canal N est qualifié pour un fonctionnement jusqu'à 175°C et est idéal pour les applications industrielles et grand public. Les principales applications comprennent le redressement synchrone dans les convertisseurs CA-CD et CC-CD, la commutation du côté primaire, la commande de moteurs BLDC, les circuits en pont complet et en demi-pont, et la protection des batteries.

Fort indice d'énergie en avalanche

Testé à 100 % et homologué pour les avalanches

Sans halogène et conforme à la directive RoHS

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