MOSFET canal N Nexperia 255 A 100 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK PSM

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Code commande RS:
219-455
Référence fabricant:
PSMN2R3-100SSEJ
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

255A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

PSM

Type de Boitier

LFPAK

Type de montage

En surface

Nombre de broches

5

Résistance Drain Source maximum Rds

2.28mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

10V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

161nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

341W

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
MY
Le MOSFET Nexperia à canal N se caractérise par un très faible RDS(on) et des performances améliorées en matière de zone de fonctionnement sûre dans un boîtier LFPAK88 à clip en cuivre à haute fiabilité. Il est optimisé pour les contrôleurs à remplacement à chaud, capable de supporter des courants d'appel élevés et de minimiser les pertes I²R pour une meilleure efficacité. Les applications comprennent le remplacement à chaud, la commutation de charge, le démarrage progressif et les fusibles électroniques.

SOA pour un fonctionnement en mode linéaire supérieur

Boîtier LFPAK88 pour les applications exigeant les plus hautes performances

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