MOSFET canal N Nexperia 210 A 100 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK PSM

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219-452
Référence fabricant:
PSMN2R9-100SSEJ
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

210A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

PSM

Type de Boitier

LFPAK

Type de montage

En surface

Nombre de broches

5

Résistance Drain Source maximum Rds

2.9mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

341W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

125nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
MY
Le MOSFET Nexperia à canal N se caractérise par un très faible RDS(on) et des performances améliorées en matière de zone de fonctionnement sûre dans un boîtier LFPAK88 à clip en cuivre à haute fiabilité. Il est optimisé pour les contrôleurs à remplacement à chaud, capable de supporter des courants d'appel élevés et de minimiser les pertes I²R pour une meilleure efficacité. Les applications comprennent le remplacement à chaud, la commutation de charge, le démarrage progressif et les fusibles électroniques.

SOA pour un fonctionnement en mode linéaire supérieur

Boîtier LFPAK88 pour les applications exigeant les plus hautes performances

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