MOSFET canal N Nexperia 170 A 80 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK PSM

Sous-total (1 bobine de 1500 unités)*

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Code commande RS:
219-334
Référence fabricant:
PSMN4R2-80YSEX
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

170A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Type de Boitier

LFPAK

Série

PSM

Type de montage

En surface

Nombre de broches

5

Résistance Drain Source maximum Rds

4.2mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

294W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

110nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

10V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
PH
Le transistor MOSFET canal N de Nexperia est doté d'un RDS(on) très faible et d'une performance de zone de fonctionnement sûre améliorée dans un boîtier LFPAK88 à clip en cuivre à haute fiabilité. Il est optimisé pour les contrôleurs à échange chaud, capable de résister à des courants d'appel élevés et de minimiser les pertes I2R pour un meilleur rendement. Les applications incluent l'échange à chaud, la commutation de charge, le démarrage progressif et le fusible électronique.

SOA pour un fonctionnement en mode linéaire supérieur

Boîtier LLFPAK88 pour les applications qui exigent les plus hautes performances

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