MOSFET canal N Nexperia 61 A 25 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK PSM

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219-495
Référence fabricant:
PSMN6R0-25YLDX
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

61A

Tension Drain Source maximum Vds

25V

Type de Boitier

LFPAK

Série

PSM

Type de montage

En surface

Nombre de broches

5

Résistance Drain Source maximum Rds

6.75mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

10.5nC

Dissipation de puissance maximum Pd

43W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
PH
Le transistor MOSFET à canal N de Nexperia est doté d'un portefeuille NextPowerS3 utilisant la technologie SchottkyPlus unique de NXP pour fournir un haut rendement, des performances de pointe faibles généralement associées aux transistor MOSFET avec une diode de Schottky ou de type Schottky intégrée, mais sans courant de fuite élevé problématique. Le NextPowerS3 est particulièrement adapté aux applications à haut rendement à des fréquences de commutation élevées.

Faible inductance parasite et faible résistance

Boîtier Power SO8 avec clip collé et matrice à souder haute fiabilité

Commutation ultra-rapide avec récupération souple

Qualifié jusqu'à 175 °C

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