MOSFET canal N onsemi 201 A 80 V Enrichissement, 8 broches, SO-8FL NVMFWS AEC-Q

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
220-571
Référence fabricant:
NVMFWS1D9N08XT1G
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

201A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Type de Boitier

SO-8FL

Série

NVMFWS

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

1.9mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

820mV

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

164W

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

AEC and PPAP Capable

Largeur

5.9mm

Longueur

4.9mm

Hauteur

1mm

Standard automobile

AEC-Q

Pays d'origine :
MY
Le MOSFET de ON Semiconductor a un faible QRR. Ce dispositif est exempt de plomb, d'halogène et de RFB.

Faible RDS(on) pour minimiser les pertes par conduction

Conforme RoHS

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