MOSFET canal N onsemi 509 A 40 V Enrichissement, 5 broches, DFN-5 NTMFS
- Code commande RS:
- 220-587
- Référence fabricant:
- NTMFS0D4N04XMT1G
- Marque:
- onsemi
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|---|---|---|
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| 20 - 198 | 3,24 € | 6,48 € |
| 200 - 998 | 2,995 € | 5,99 € |
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- Code commande RS:
- 220-587
- Référence fabricant:
- NTMFS0D4N04XMT1G
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 509A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Série | NTMFS | |
| Type de Boitier | DFN-5 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.42mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 133nC | |
| Tension directe Vf | 790mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 197W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 5mm | |
| Normes/homologations | Pb-Free, RoHS | |
| Largeur | 5.9mm | |
| Hauteur | 1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 509A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Série NTMFS | ||
Type de Boitier DFN-5 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 5 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.42mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 133nC | ||
Tension directe Vf 790mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 197W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 5mm | ||
Normes/homologations Pb-Free, RoHS | ||
Largeur 5.9mm | ||
Hauteur 1mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
La technologie MOSFET de puissance de ON Semiconductor avec la meilleure résistance à l'enclenchement de sa catégorie pour les applications de pilotage de moteur. Une résistance à l'amorçage plus faible et une charge de grille moins importante permettent de réduire les pertes de conduction et les pertes d'entraînement. Un bon contrôle de la douceur de la récupération de l'inversion de la diode de corps permet de réduire le stress de la pointe de tension sans circuit snubber supplémentaire dans l'application.
Sans halogène
Conforme RoHS
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