MOSFET canal N onsemi 195 A 40 V Enrichissement, 5 broches, DFN-5 NTMFS

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
220-599
Référence fabricant:
NTMFS1D3N04XMT1G
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

195A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

DFN-5

Série

NTMFS

Type de montage

En surface

Nombre de broches

5

Résistance Drain Source maximum Rds

1.3mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

90W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

38.5nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Largeur

5.15mm

Longueur

6.15mm

Hauteur

1mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
MY
La technologie MOSFET de puissance de ON Semiconductor avec la meilleure résistance à l'enclenchement de sa catégorie pour les applications de pilotage de moteur. Une résistance à l'amorçage plus faible et une charge de grille moins importante permettent de réduire les pertes de conduction et les pertes d'entraînement. Un bon contrôle de la douceur de la récupération de l'inversion de la diode de corps permet de réduire le stress de la pointe de tension sans circuit snubber supplémentaire dans l'application.

Sans halogène

Conforme RoHS

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