MOSFET canal N ROHM 20 A 60 V Enrichissement, 8 broches, HSMT-8 RQ3

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Code commande RS:
264-477
Référence fabricant:
RQ3L070BGTB1
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

20A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

HSMT-8

Série

RQ3

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

24.7mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

7.6nC

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

15W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Le MOSFET de puissance ROHM 60V 20A offre une faible résistance à l'enclenchement, ce qui le rend idéal pour la commutation du côté primaire, les entraînements de moteur et les convertisseurs DC-DC.

Faible résistance à état passant

Petit boîtier pour montage en surface

Placage sans plomb et conforme à la directive RoHS

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