MOSFET canal N ROHM 20 A 60 V Enrichissement, 8 broches, HSMT-8 RQ3
- Code commande RS:
- 264-477
- Référence fabricant:
- RQ3L070BGTB1
- Marque:
- ROHM
Actuellement indisponible
Désolés, nous ne savons pas quand ce produit sera réapprovisionné.
- Code commande RS:
- 264-477
- Référence fabricant:
- RQ3L070BGTB1
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 20A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | HSMT-8 | |
| Série | RQ3 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 24.7mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 15W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 20A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier HSMT-8 | ||
Série RQ3 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 24.7mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 15W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Le MOSFET de puissance ROHM 60V 20A offre une faible résistance à l'enclenchement, ce qui le rend idéal pour la commutation du côté primaire, les entraînements de moteur et les convertisseurs DC-DC.
Faible résistance à état passant
Petit boîtier pour montage en surface
Placage sans plomb et conforme à la directive RoHS
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N ROHM 15.5 A 60 V Enrichissement HSMT-8 RQ3
- MOSFET canal N ROHM 12 A 60 V Enrichissement HSMT-8 RQ3 AEC-Q101
- MOSFET canal N ROHM 27 A 100 V Enrichissement HSMT-8 RQ3 AEC-Q101
- MOSFET P ROHM 12 A 60 V Enrichissement HSMT-8 RQ3 AEC-Q101
- MOSFET P ROHM 12 A 40 V Enrichissement HSMT-8 RQ3 AEC-Q101
- MOSFET P ROHM 27 A 40 V Enrichissement HSMT-8 RQ3 AEC-Q101
- MOSFET canal N ROHM 39 A 100 V Enrichissement HSMT
- MOSFET 1 canal N ROHM 65 A 60 V Enrichissement HSMT-8 RH6
