MOSFET canal N ROHM 51 A 750 V Enrichissement, 7 broches, TO-263 SCT4026 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 264-587
- Référence fabricant:
- SCT4026DWAHRTL
- Marque:
- ROHM
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 ruban de 5 unités)*
70,14 €
HT
84,17 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 1 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 14,028 € | 70,14 € |
| 50 + | 13,328 € | 66,64 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 264-587
- Référence fabricant:
- SCT4026DWAHRTL
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 51A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 750V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | SCT4026 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 34mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 21V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 94nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 150W | |
| Tension directe Vf | 3.3V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 51A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 750V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série SCT4026 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 34mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 21V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 94nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 150W | ||
Tension directe Vf 3.3V | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le MOSFET à tranchée en carbure de silicium SiC 750V 51A de ROHM dans un boîtier SMD à 7 broches offre une résistance à la tension élevée, une faible résistance à l'enclenchement et une vitesse de commutation rapide.
Faible résistance à état passant
Vitesse de commutation rapide
Récupération rapide des données inversées
Facile à mettre en parallèle
Simple à conduire
Plombage sans plomb et conforme à la directive RoHS
Large distance d'âge de fluage égale à min. 4,7mm
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N ROHM 51 A 750 V Enrichissement TO-263 SCT4026
- MOSFET canal N ROHM 51 A 750 V Enrichissement TO-263 AEC-Q101
- MOSFET canal N ROHM 51 A 750 V Enrichissement TO-263
- MOSFET canal N ROHM 31 A 750 V Enrichissement TO-263 AEC-Q101
- MOSFET canal N ROHM 98 A 750 V Enrichissement TO-263
- MOSFET canal N ROHM 31 A 750 V Enrichissement TO-263
- MOSFET canal N ROHM 31 A 750 V Enrichissement TO-263 SCT4045
- MOSFET canal N ROHM 24 A 12 V Enrichissement TO-263 AEC-Q101