MOSFET canal N ROHM 24 A 1.2 kV Enrichissement, 7 broches, TO-263 SCT

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264-592
Référence fabricant:
SCT4062KWATL
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

24A

Tension Drain Source maximum Vds

1.2kV

Type de Boitier

TO-263

Série

SCT

Type de montage

En surface

Nombre de broches

7

Résistance Drain Source maximum Rds

124mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

3.3V

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

21V

Dissipation de puissance maximum Pd

93W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

54nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Le ROHM 1200V 24A SiC trench MOSFET en carbure de silicium dans un boîtier SMD à 7 broches offre une haute résistance à la tension, une faible résistance à l'enclenchement et une vitesse de commutation rapide.

Faible résistance à état passant

Vitesse de commutation rapide

Récupération rapide des données inversées

Facile à mettre en parallèle

Simple à conduire

Plombage sans plomb et conforme à la directive RoHS

Large distance d'âge de fluage égale à min. 4,7mm

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