MOSFET 1 canal N ROHM 80 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-263AB RJ1
- Code commande RS:
- 264-883
- Référence fabricant:
- RJ1P04BBHTL1
- Marque:
- ROHM
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (5 unités, sur un ruban de 5)*
10,04 €
HT
12,05 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 100 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,008 € | 10,04 € |
| 50 - 95 | 1,906 € | 9,53 € |
| 100 - 495 | 1,766 € | 8,83 € |
| 500 - 995 | 1,628 € | 8,14 € |
| 1000 + | 1,564 € | 7,82 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 264-883
- Référence fabricant:
- RJ1P04BBHTL1
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 80A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Série | RJ1 | |
| Type de Boitier | TO-263AB | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 8.8mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 89W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 38.0nC | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 80A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Série RJ1 | ||
Type de Boitier TO-263AB | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 8.8mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 89W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 38.0nC | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Le MOSFET de puissance ROHM Nch 100V 80A TO-263AB avec une faible résistance à l'enclenchement et une puissance élevée, convient pour la commutation.
Faible résistance à l'état passant
Boîtier petit moule haute puissance (TO263AB)
Placage sans plomb et conforme à la directive RoHS
100% testé par l'ISU
Nos clients ont également consulté
- MOSFET 1 canal Type N ROHM 170 A 100 V Enrichissement TO-263AB RJ1
- MOSFET 1 canal Type N ROHM 105 A 150 V Enrichissement TO-263AB RJ1
- MOSFET 1 canal Type N ROHM 120 A 100 V Enrichissement TO-263AB RJ1
- MOSFETs simples N ROHM 150 V Enrichissement TO-263AB RJ1
- MOSFETs simples N ROHM 80 V Enrichissement TO-263AB-3LSHYAD RJ1N04BBHT
- MOSFET N ROHM 280 A 40 V TO-263AB-3LSHYAD
- MOSFET N ROHM 240 A 60 V TO-263AB-3LSHYAD
- MOSFETs simples canal Double N ROHM 80 V Enrichissement HSMT-8 HT8MD5HT