MOSFET canal N ROHM 4.5 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TSMT-3 RQ5

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Code commande RS:
265-473P
Référence fabricant:
RQ5L045BGTCL
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

4.5A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

TSMT-3

Série

RQ5

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

32mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

7.6nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

1W

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Le MOSFET de puissance ROHM se caractérise par une faible résistance à l'enclenchement, ce qui le rend très efficace pour les applications de commutation, les entraînements de moteur et les convertisseurs DC/DC. Sa conception garantit des performances et une fiabilité optimales dans une grande variété de circuits électroniques.

Conformité RoHS

Faible résistance à l'état passant

Placage sans plomb

Sans halogène

100 % Rg et ISU testés

Petit boîtier pour montage en surface

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