MOSFET canal N DiodesZetex 150 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- Code commande RS:
- 275-945
- Référence fabricant:
- ZVN3306FTA
- Marque:
- DiodesZetex
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
3,48 €
HT
4,18 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 85 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 octobre 2026
- Plus 14 095 unité(s) expédiée(s) à partir du 09 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,696 € | 3,48 € |
| 50 - 145 | 0,626 € | 3,13 € |
| 150 + | 0,556 € | 2,78 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 275-945
- Référence fabricant:
- ZVN3306FTA
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 150mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 5Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 330mW | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 1.4mm | |
| Longueur | 3.05mm | |
| Hauteur | 1mm | |
| Standard automobile | AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 150mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 5Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 330mW | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 1.4mm | ||
Longueur 3.05mm | ||
Hauteur 1mm | ||
Standard automobile AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
Transistor MOSFET à canal N, 40 à 90 V, Diodes Inc
Transistors MOSFET, Diodes Inc.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N DiodesZetex 150 mA 60 V Enrichissement SOT-23 AEC-Q200 AEC-Q101
- MOSFET canal N DiodesZetex 200 mA 60 V Enrichissement SOT-23 AEC-Q101 AEC-Q100
- MOSFET canal N DiodesZetex 100 mA 100 V Enrichissement SOT-23 AEC-Q101 AEC-Q200
- MOSFET canal N DiodesZetex 60 mA 200 V Enrichissement SOT-23 AEC-Q100 AEC-Q200
- MOSFET canal N DiodesZetex 230 mA 250 V Enrichissement SOT-23 ZVN4525E6 AEC-Q100 AEC-Q101,
- MOSFET P DiodesZetex 300 mA 30 V Enrichissement SOT-23 DMP AEC-Q101 AEC-Q200
- MOSFET canal N DiodesZetex 1.6 A 100 V Enrichissement SOT-23 DMN AEC-Q200 AEC-Q101
- MOSFET canal N DiodesZetex 4 A 30 V Enrichissement SOT-23 DMG3402L AEC-Q100 AEC-Q101