MOSFET canal N STMicroelectronics 2.5 A 65 V Enrichissement, 10 broches, PowerSO-10RF PD5

Le transistor RF POWER de STMicroelectronics est un transistor de puissance RF à effet de champ latéral à canal N, à source commune et à mode d'amélioration. Il est conçu pour des applications commerciales et industrielles à haut gain et à large bande. Il fonctionne à 28 V en mode source commune à des fréquences allant jusqu'à 1 GHz. Ce dispositif bénéficie de l'excellent gain, de la linéarité et de la fiabilité de la dernière technologie LDMOS de ST, montée dans le premier boîtier de puissance RF en plastique SMD, le PowerSO-10RF. La linéarité supérieure du dispositif en fait une solution idéale pour les applications de stations de base. Le boîtier plastique PowerSO-10, conçu pour offrir une grande fiabilité, est le premier boîtier SMD haute puissance approuvé par ST JEDEC. Il a été spécialement optimisé pour les besoins RF et offre d'excellentes performances RF ainsi qu'une grande facilité d'assemblage. Les recommandations de montage sont disponibles sur www.st.com/rf/ (voir la note d'application AN1294).

Excellente stabilité thermique