MOSFET canal N STMicroelectronics 5 A 800 V, 3 broches, TO-220FP STF

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Code commande RS:
330-451
Référence fabricant:
STF80N1K1K6
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

5A

Tension Drain Source maximum Vds

800V

Type de Boitier

TO-220FP

Série

STF

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1.1Ω

Dissipation de puissance maximum Pd

21W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

5.7nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Largeur

4.6mm

Hauteur

9.3mm

Longueur

10.4mm

Standard automobile

Non

Statut RoHS : Exempté

Le MOSFET de puissance haute tension à canal N de STMicroelectronics est conçu à partir de la technologie MDmesh K6, basée sur 20 ans d'expérience de STMicroelectronics dans la technologie des super jonctions. Le résultat est la meilleure résistance sous tension de sa catégorie par zone et charge de grille pour les applications nécessitant une densité de puissance supérieure et un haut rendement.

Charge de grille ultra-faible

Protégé par Zener

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