MOSFET canal N STMicroelectronics 2.5 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-220FP SuperMESH

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Code commande RS:
151-433
Numéro d'article Distrelec:
304-37-473
Référence fabricant:
STF3NK80Z
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

2.5A

Tension Drain Source maximum Vds

800V

Type de Boitier

TO-220FP

Série

SuperMESH

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

4.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.6V

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Dissipation de puissance maximum Pd

25W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

19nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le MOSFET de puissance de STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie Super MESH, grâce à l'optimisation de la disposition Power MESH bien établie. En plus d'une réduction significative de la résistance à l'enclenchement, ce dispositif est conçu pour assurer un haut niveau de capacité dv/dt pour les applications les plus exigeantes.

testé à 100 % en avalanche

Charge de grille minimisée

Très faible capacité intrinsèque

Protégé par Zener

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