MOSFET canal N STMicroelectronics 1 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 SuperMESH
- Code commande RS:
- 151-905
- Référence fabricant:
- STD1NK80ZT4
- Marque:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
| 20 - 180 | 1,009 € | 20,18 € |
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- Code commande RS:
- 151-905
- Référence fabricant:
- STD1NK80ZT4
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 1A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 800V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | SuperMESH | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 16Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 45W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 7.7nC | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 1A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 800V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série SuperMESH | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 16Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 45W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 7.7nC | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance de STMicroelectronics est un dispositif haute tension avec canal N protégé Zener développé à l'aide de la technologie SuperMESH, une optimisation du PowerMESH bien établi. En plus d'une réduction significative de la résistance sous tension, ce dispositif est conçu pour garantir un haut niveau de capacité dv/dt pour les applications les plus exigeantes.
Charge de grille minimisée
Très faible capacité intrinsèque
Protégé par Zener
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