MOSFET canal N STMicroelectronics 1 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 SuperMESH
- Code commande RS:
- 151-905
- Référence fabricant:
- STD1NK80ZT4
- Marque:
- STMicroelectronics
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| 500 + | 0,682 € | 13,64 € |
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- Code commande RS:
- 151-905
- Référence fabricant:
- STD1NK80ZT4
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 1A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 800V | |
| Série | SuperMESH | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 16Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 7.7nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 45W | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 1A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 800V | ||
Série SuperMESH | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 16Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 7.7nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 45W | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance de STMicroelectronics est un dispositif haute tension avec canal N protégé Zener développé à l'aide de la technologie SuperMESH, une optimisation du PowerMESH bien établi. En plus d'une réduction significative de la résistance sous tension, ce dispositif est conçu pour garantir un haut niveau de capacité dv/dt pour les applications les plus exigeantes.
Charge de grille minimisée
Très faible capacité intrinsèque
Protégé par Zener
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